기 타 UNIST 연구팀, 세계 최초 '초절전・고성능 3진법 반도체 기술' 구현…삼성전...

호오..실제로 웨이퍼 생산해서 찍어보면 과연 어떨지..

3진법?? 그럼 기존의 "0 과 1" 의 디지탈이 아닌 "0, 1, 2" 로 이루어 졌단 말인가?

단위도 바뀌겠네, bit, byte가 아닌....

예전 소자는 전기가 꺼짐과 켜짐, 0 과 1의 2가지 표현이 가능했다면 3진법은 소자 하나로 3가지 표현이 가능하다는 것으로 추측되네요.

꺼짐과 켜짐과 중간?, 어쨌든 소프트웨어는 별개의 문제라 3진법 반도체지만 소프트웨어는 2진법에 맞추어 가동되겠죠.

다만 2^8 = 256 인데, 3^5 = 243 까지 밖에 표현이 안 됩니다. 128 표현은 가능하지만, 8비트 대체에는 6트리트가 필요합니다.

그러나 계산해 보면 높은 비트로 갈수록 효율이 좋아집니다.

8비트는 6트리트, 16비트는 11트리트, 24비트는 16트리트, 32비트는 21트리트로 대체가 가능하고도 용량이 남습니다.

효율이 25~34% 이상이네요.

단순 계산으로는 25~35%정도지만, 초절전과 고성능, 소형화 장점이 다 사실이라면 현재보다 저장 용량과 속도가 많이 올라갈 겁니다.

하지만 언제나 그렇듯이 문제는 상용화겠죠.

프로세서 관점에서 볼 때 진법체계가 완전히 바뀐다는 것을 의미하는 게 아니고..

IC에 직접화 되어 들어가는 각기의 개별 논리회로가 트랜지스터 하나로 구현되어 있다고 가정하면

기존의 회로구성에선 트랜지스터가 포화상태냐 아니면 컷오프 상태냐에 따라서 콜렉터의 전압이

5 volt로 걸리면 High, 0 volt가 되면 Low의 논리값으로 취급하는 식으로 회로를 구성해서

트랜지스터 하나가 비트 하나를 담당하는 역할을 하게 된다면...

보도에 언급되어 있는 트리트의 개념을 이해하기 쉽게 풀어서 설명하면

트랜지스터에 걸리는 부하전압을...

+ 5 volt, 0 volt, - 5 volt 의 3가지 트리플 상태로 논리값을 구분해서 표현하게 해서

하나의 트랜지스터로 3개의 정보를 표현할 수 있도록 한다는 의미 이므로...

결과적으로 같은 32비트 크기의 정보를 표현하는 논리회로를 구성할 때..

기존의 칩설계 방식 보다 트랜지스터 갯수를 줄여서 IC를 구현할 수 있다는 얘기 임.

같은 기능을 하는 회로를 트랜지스터 갯수를 줄여서 IC를 구현하게 되면

소비전력과 반도체 소자 집접화에 따른 side effect 영향을 줄일 수 있게 된다는 것.

칩을 더 소형화 해서 만드는데도 유리하고.